現在，封裝工業(yè)的新一輪挑戰——“低溫封裝”已經(jīng)緩緩拉開(kāi)了序幕。為此，億鋮達工業(yè)有限公司經(jīng)過(guò)數年的技術(shù)攻關(guān)，成功的研制了Sn-Bi-X系列低溫釬料。該產(chǎn)品通過(guò)對合金成分的調整和優(yōu)化，有效地抑制了合金焊點(diǎn)在凝固過(guò)程中的偏析現象和服役過(guò)程中出現的組織粗大化現象，進(jìn)而大幅度提高了釬料的可靠性。
當今世界經(jīng)濟已從工業(yè)化進(jìn)入信息化的發(fā)展階段，微電子技術(shù)是高科技和信息產(chǎn)業(yè)的核心技術(shù)，也是當前新經(jīng)濟時(shí)代的基礎產(chǎn)業(yè)。十四年前，無(wú)鉛化封裝的進(jìn)程席卷了全球的封裝工業(yè)。目前,微電子產(chǎn)業(yè)的核心是芯片技術(shù)，全球微電子產(chǎn)業(yè)有將近千億產(chǎn)值的芯片需要利用封裝技術(shù)與基板實(shí)現機械連接和電連接。隨著(zhù)芯片制程技術(shù)的發(fā)展，電子產(chǎn)品的重量和體積也在大幅度減小。
英特爾處理器已擁有了10nm的制造工藝，這意味著(zhù)電子產(chǎn)品在擁有出色性能的同時(shí)，可以達到極致的輕薄。但是由于目前封裝技術(shù)的限制，芯片技術(shù)帶來(lái)的電子產(chǎn)品輕薄化的優(yōu)勢無(wú)法充分發(fā)揮。其原因在于目前封裝使用的釬料熔點(diǎn)偏高，導致輕薄化的電子產(chǎn)品在封裝過(guò)程中產(chǎn)生較高的內應力，對焊點(diǎn)的成型及成型后的可靠性造成極大的威脅。芯片技術(shù)的發(fā)展，迫使封裝工業(yè)向低溫封裝方向發(fā)展,億鋮達低溫錫膏正是在這一大背景下應運而生，其優(yōu)異的性能更符合未來(lái)低溫封裝的發(fā)展趨勢。
億鋮達Sn-Bi-X系列低溫釬料可使封裝溫度降低60~80℃。該系列釬料的潤濕性、電阻率、鋪展面積、延伸率、熱機械疲勞性能和蠕變性能等均符合美國國立生產(chǎn)科學(xué)研究院提出的無(wú)鉛釬料性能評價(jià)標準。除此之外，Sn-Bi-X系列低溫釬料還具有出色的抑制Sn晶須生長(cháng)的性能。億鋮達Sn-Bi-X系列低溫釬料可廣泛運用于：芯片封裝、高集成度產(chǎn)品、LED/LCD、多層基本、可穿戴設備、熱敏元件等廣泛領(lǐng)域。億鋮達全面掌握了該釬料制備和使用的技術(shù)參數，擁有自主知識產(chǎn)權。
此次億鋮達Sn-Bi-X系列低溫釬料的成功研制，充分彰顯了億鋮達不斷增強的競爭力和影響力，也必將繼續激勵我們朝著(zhù)自主研發(fā)、科技創(chuàng )新的方向破浪前行，再攀高峰。
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